3M040120G(TO-263)

特征 ?第三代SiC MOSFET技術(shù) ?高阻斷電壓，低導(dǎo)通電阻 ?低電容高速開關(guān) ?具有低反向恢復(fù)（Qrr）的快速本征二極管應(yīng)用程序 ?數(shù)據(jù)中心和電信電源 ?電動汽車電池充電器 ?高壓DC/DC轉(zhuǎn)換器 ?儲能系統(tǒng) ?太陽能逆變器優(yōu)勢 ?減少開關(guān)損耗，最大限度地減少門振鈴 ?系統(tǒng)效率更高 ?降低冷卻要求 ?提高功率密度 ?提高系統(tǒng)切換頻率

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碳化硅

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