MLS3400B SOT-23

■描述 ●AP3400BI采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，可提供出色的R-D（ON）、低柵極電荷和低至2.5V的柵極電壓。該裝置適用于電池保護(hù)或其他開關(guān)應(yīng)用。 ■一般特征 ●V-DS=30V，I-D=5.8A ●R-DS（ON）<28mΩ@V-GS=10V（類型：26mΩ）品類: N通道增強(qiáng)模式MOSFET 應(yīng)用: [ 不間斷電源 ][ 電池保護(hù) ][ 負(fù)載開關(guān) ]

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產(chǎn)品描述

■描述
●AP3400BI采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，可提供出色的R-D（ON）、低柵極電荷和低至2.5V的柵極電壓。該裝置適用于電池保護(hù)或其他開關(guān)應(yīng)用。

■一般特征
●V-DS=30V，I-D=5.8A
●R-DS（ON）<28mΩ@V-GS=10V（類型：26mΩ）

品類: N通道增強(qiáng)模式MOSFET

應(yīng)用: [ 不間斷電源 ][ 電池保護(hù) ][ 負(fù)載開關(guān) ]

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